KemLab 正性光刻胶

KemLab 正性光刻胶 KLT 6000

描述： KLT 6000 是一款适用于 i-Line、g-Line 和宽带应用的正性光刻胶。KLT 6000 具有高灵敏度、高通量和优异的工艺宽容度。

• 单次涂布覆盖 2.5-12 微米厚度

• 设计用于行业标准的 0.26 N TMAH 显影液

• ● 无需后烘 (PEB)

• ● 可提供定制配方

基板 (Substrate)

KLT6000 可粘附于多种基板，包括金、玻璃、铝、铬和铜。建议使用 HMDS（六甲基二硅氮烷）底涂剂。HMDS 底涂剂将增强 KLT6000 对大多数基板的附着力。

旋涂 (Spin Coat)

目标膜厚使用右图所示的旋涂速度曲线确定。涂布程序包括 5-10 秒的铺展循环；较厚膜层使用较长时间。最终转速下的旋涂时间为 45 秒。旋涂曲线使用 6 英寸硅片和静态点胶约 4 ml KLT6000 光刻胶测定。

对于 KLT6000 及大多数其他低于 10 微米的正性光刻胶，微调膜厚的公式如下：

新旋涂速度 = 原旋涂速度 × (实测膜厚 / 目标膜厚)²

前烘 (Soft Bake)

推荐的烘板前烘温度为 $105^{\circ }C+/-5^{\circ }C$。典型烘烤时间为 120 秒；更长的烘烤时间有助于去除较厚膜层中的浇铸溶剂。

曝光与光学参数 (Exposure & Optical Parameters)

KLT 6000 适用于 i-Line、宽带或 g-Line 曝光。

后烘 (Post-Exposure Bake, PEB)

对于大多数应用，无需进行后烘 (PEB)。

如果特定工艺需要 PEB，请在接触式烘板上以 90°C 烘烤 90 秒。

显影 (Develop)

KLT6000 设计用于 0.26N TMAH 显影液。可采用浸没式、浸没或喷雾-浸没方式显影。较厚的膜层在显影步骤中更新显影液会受益，例如采用双重浸没。

详情请见工艺指南表。

蚀刻阻挡 (Etch Resist)

湿法化学蚀刻液（用于金、铜、铬、铝等）不会降解 KLT6000 制作的图形。

光刻胶去除 (Photoresist Removal)

KLT6000 可使用行业标准去胶剂（如 NMP、DMSO 等）在 50-80°C 下去除。

较厚的膜层可采用双槽工艺去除：第一个槽去除大部分光刻胶，第二个槽清洁干净。

储存 (Storage)

请将产品直立存放在密闭容器中，储存于 40-70°F (4-21°C) 的环境下。远离氧化剂、酸、碱和火源。

操作与处置注意事项 (Handling & Disposal Considerations)

请查阅 MSDS（材料安全数据表）以了解操作方法和适当的个人防护设备 (PPE)。KLT 6000 含有易燃液体；远离火源、热源、火花和火焰。

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