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德国纳米压印光刻胶

简要描述:高分辨率:支持 <100 nm 结构压印(如mr-NIL212FC可实现200nm柱阵列)。量产适配:UV-NIL:室温低压(<100 mbar),适合大面积和连续生产(R2R)。T-NIL:热塑性/热固性 可选,平衡效率与稳定性。工艺灵活性:可搭配 LOR 光刻胶实现金属纳米结构剥离(Lift-off)。通过 SiPOL 硅含量树脂实现图案放大,用于深槽刻蚀。

  • 产品型号:mr-NIL212FC
  • 厂商性质:代理商
  • 更新时间:2025-07-02
  • 访  问  量:208

详细介绍

纳米压印光刻 (NIL) 解决方案——高性能光刻胶,助力纳米制造革命

——来自德国 micro resist technology,纳米压印光刻材料的行业先驱



核心优势

Excellence的薄膜质量 | ✅ 高保真图案复制 | ✅ 优异的干法刻蚀性能
广泛的印章兼容性 | ✅ 定制化解决方案 | ✅ 符合工业级安全标准(ISO 9001 & 14001)

应用领域

l光子学(超表面、光栅、AR/VR)

l下一代电子器件(纳米线、MEMS)

l生命科学与传感器(微流控芯片、生物传感器)


明星产品系列

1. UV-NIL 光刻胶

产品型号

核心特性

适用场景

mr-NIL210

专为 PDMS 类柔性印章优化,极薄残胶控制(<10nm),高均匀性

柔性基底、曲面压印、快速量产

mr-NIL212FC

兼容低强度光源(<40>2(SiO₂),适合精密金属蚀刻

纳米电子、金属纳米结构制造

mr-NIL200

自粘附配方,无需底涂,专为硬质印章(石英/OrmoStamp®)设计

高精度光学元件、硬质基底压印

mr-UVCuF26SF

溶剂型喷墨专用,低自发荧光,生物相容性佳

生物芯片、医疗器件

2.



2.



热压印(T-NIL)光刻胶

| mr-I 9000M | 热固性树脂,无玻璃化转变温度(Tg),耐高温 260°C,yongjiu光学透明 | 高温环境应用(如封装、光学透镜) |
| mr-I T85 | 基于 COC 材料,耐酸碱/有机溶剂,超高紫外透过率 | 微流控芯片、透明器件 |

3. 创新工艺方案

NIL + 剥离工艺:结合 mr-NIL212FC/LOR 实现复杂金属纳米结构(如 200nm 金属网格)。

NIL + 深度刻蚀:通过含硅光刻胶 SiPOL 或硬掩模(SiO₂)实现高深宽比结构放大。



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