正胶显影液TMAH 四甲基氢氧化铵 能选择性地溶解未曝光的光刻胶，留下已曝光部分形成所需的图形，从而将掩膜版上的图案精确转移到硅片等衬底材料上。同时，它还可用于硅片的湿法刻蚀，对硅等材料进行腐蚀加工，制作微机电系统（MEMS）结构，如加速度计、压力传感器等。